Транзиторные матрицы, сборки

Буквенные обозначения параметров транзисторов

Тип прибора Структура ТОКР, °С РKMAX, Р*K, T MAX, P**К, И MAX, мВт fГР, f*h21б, f**h21Э, f***MAX, МГц UКБО MAX, U*КЭR MAX, U**КЭО MAX, В UЭБО MAX, В IK MAX, I*K, И MAX, мА IКБО, I*КЭR, I**КЭО, мкА h21э, h*21Э CК, С*12э, пФ rКЭ НАС, r*БЭ НАС, Ом КШ, дБ h21э1/h*21э2 Δ U**ЭБ, мВ Корпус 2ТС3103А 2ТС3103Б p-n-p p-n-p -60...+125 -60...+125 300(55°C) 300(55°C) =>600 =>600 15*(15к) 15*(15к) 5 5 20(50*) 20(50*) <=0,2(15 В) <=0,2(15 В) 40...200(1 В; 1 мА) 40...200(1 В; 1 мА) <=2,5(5 В) <=2,5(5 В) <=60 <=60 <=5(60МГц); =>0,9* <=5(60МГц); =>0,8* 3101.8-1 (ТО-99) 2ТС393А-1 2ТС393Б-1 p-n-p p-n-p -60...+85 -60...+85 20(45°C) 20(45°C) =>500 =>500 10*(5к) 10*(5к) 4 4 10(20*) 10(20*) <=0,1(10 В) <=0,2(15 В) 40...180(1 В; 1 мА) 30...140(1 В; 1 мА) <=2(5 В) <=2(5 В) - - <=6(60МГц) <=6(60МГц) Рис. 22 2ТС613А 2ТС613Б n-p-n n-p-n -60...+125 -60...+125 800(50°C) 800(50°C) =>200 =>200 60 60 4 4 400(800*) 400(800*) <=8(60 B) <=8(60 B) 25...100*(5 В; 0,2 А) 40...200*(5 В; 0,2 А) <=15(10 В) <=15(10 В) - - - - Рис. 23 2ТС622А 2ТС622Б p-n-p p-n-p -60...+125 -60...+125 0,4(10**) Вт 0,4(10**) Вт =>200 =>200 45*(1к) 35*(1к) 4 4 400(600*) 400(600*) <=10(45 B) <=20(35 B) 25...150*(5 В; 0,2 А) 25...150*(5 В; 0,2 А) <=15(10В) <=15(10В) - - - - 401.14-6 2ТС622Б-1 p-n-p -60...+125 0,4 Вт =>200 45 4 400(600*) 10 25...150* 15 - - Рис. 24

Тип прибора Структура UКБО MAX, В UКЭR MAX, В UКЭО MAX, В IK MAX, А h21э min, мА fГР, МГц PK, Вт Корпус 1НТ251 1НТ251А n-p-n n-p-n 45 45 - - - - 0,4 0,4 30 30 200,00 200,00 0,4 0,4 401.14-6 401.14-6